类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
器件封装：DDPAK/TO-263-3
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基本功能
制造商产品型号：CSD18536KTT制造商：TI公司（德州仪器，Texas Instruments）描述：MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：NexFET?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：200A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.6 毫欧 @ 100A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：140nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11430pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：375W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DDPAK/TO-263-3CSD18536KTT | TI代理全新原装现货以下产品与CSD18536KTT或许具有相似功能：
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