基本功能
制造商产品型号：STL8N10F7制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 100V POWERFLAT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：DeepGATE?, STripFET? VII零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：100V25°C时电流-连续漏极(Id)：35A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 4A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2000pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.5W（Ta），50W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerFlat?（3.3x3.3）STL8N10F7 | ST代理全新原装现货
