基本功能
制造商产品型号：STL26NM60N制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：MDmesh? II零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.7A（Ta），19A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：185 毫欧 @ 10A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：60nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1800pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：125mW（Ta），3W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerFlat?（8x8）HVSTL26NM60N | ST代理全新原装现货
