基本功能
制造商产品型号：STI10NM60N制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：MDmesh? II零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：600V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：550 毫欧 @ 4A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：19nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：540pF @ 50VFET功能：-功率耗散（最大值）：70W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I2PAK（TO-262）STI10NM60N | ST代理全新原装现货
