类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
封装:TO-247-3
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基本功能
制造商产品型号:STGWA80H65DFB制造商:STMicroelectronics描述:IGBT BIPO 650V 80A TO247-3系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):120A电流-集电极脉冲(Icm):240A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,80A功率-最大值:469W开关能量:2.1mJ(开),1.5mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:414nC25°C时Td(开/关)值:84ns/280ns测试条件:400V,80A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):85ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3STGWA80H65DFB | ST代理全新原装现货
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