类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20
封装：TO-247-3
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基本功能
制造商产品型号：STGWA20H65DFB2制造商：STMicroelectronics描述：TRENCH GATE FIELD-STOP 650 V, 20系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：HB2零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：60A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，20A功率-最大值：147W开关能量：265μJ（开），214μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：56nC25°C时Td（开/关）值：16ns/78.8ns测试条件：400V，20A，10 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：215ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3STGWA20H65DFB2 | ST代理全新原装现货以下产品与STGWA20H65DFB2或许具有相似功能：
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