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    STGW8M120DF3
    STGW8M120DF3-ST代理全新原装现货
    制造：ST（意法半导体）
    类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
    规格：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
    封装：TO-247-3
    STGW8M120DF3技术资料下载
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    市场上提供STGW8M120DF3原装现货的ST代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：STGW8M120DF3
  • 制造商：STMicroelectronics
  • 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
  • 系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列：M
  • 零件状态：有源
  • IGBT类型：沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿（最大值）：1200V
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：16A
  • 电流-集电极脉冲(Icm)：32A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，8A
  • 功率-最大值：167W
  • 开关能量：390μJ（开），370μJ（关）
  • 输入类型：标准
  • 栅极电荷：32nC
  • 25°C时Td（开/关）值：20ns/126ns
  • 测试条件：600V，8A，33 欧姆，15V
  • 反向恢复时间(trr)：103ns
  • 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 封装：TO-247-3
  • STGW8M120DF3 | ST代理全新原装现货
    • ST（意法半导体）主要产品：More...
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