基本功能
制造商产品型号:STGW60H65F制造商:STMicroelectronics描述:IGBT 650V 120A 360W TO247系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):120A电流-集电极脉冲(Icm):240A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,60A功率-最大值:360W开关能量:750μJ(开),1.05mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:217nC25°C时Td(开/关)值:65ns/180ns测试条件:400V,60A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3STGW60H65F | ST代理全新原装现货