类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
封装:TO-247-4
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基本功能
制造商产品型号:STGW50H65DFB2-4制造商:STMicroelectronics描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:HB2零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):86A电流-集电极脉冲(Icm):150A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A功率-最大值:272W开关能量:629μJ(开),478μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:151nC25°C时Td(开/关)值:18ns/128ns测试条件:400V,50A,12 欧姆,15V反向恢复时间(trr):92ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-4STGW50H65DFB2-4 | ST代理全新原装现货
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