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STGW50H65DFB2-4-ST代理全新原装现货
类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
封装:TO-247-4
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市场上提供STGW50H65DFB2-4原装现货的ST代理商之一
基本功能
  • 制造商产品型号:STGW50H65DFB2-4
  • 制造商:STMicroelectronics
  • 描述:TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 5
  • 系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
  • 产品系列:HB2
  • 零件状态:有源
  • IGBT类型:沟槽型场截止
  • 电压-集射极击穿(最大值):650V
  • 电流-集电极(Ic)(最大值):86A
  • 电流-集电极脉冲(Icm):150A
  • 不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,50A
  • 功率-最大值:272W
  • 开关能量:629μJ(开),478μJ(关)
  • 输入类型:标准
  • 栅极电荷:151nC
  • 25°C时Td(开/关)值:18ns/128ns
  • 测试条件:400V,50A,12 欧姆,15V
  • 反向恢复时间(trr):92ns
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:TO-247-4
  • STGW50H65DFB2-4 | ST代理全新原装现货
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