类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 600V 20A 115W TO220
封装:TO-220-3
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基本功能
制造商产品型号:STGP10H60DF制造商:STMicroelectronics描述:IGBT 600V 20A 115W TO220系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):20A电流-集电极脉冲(Icm):40A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):1.95V @ 15V,10A功率-最大值:115W开关能量:83μJ(开),140μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:57nC25°C时Td(开/关)值:19.5ns/103ns测试条件:400V,10A,10 欧姆,15V反向恢复时间(trr):107ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-220-3STGP10H60DF | ST代理全新原装现货
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