类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP
封装：TO-220-3 整包
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基本功能
制造商产品型号：STGF6M65DF2制造商：STMicroelectronics描述：IGBT TRENCH 650V 12A TO220FP系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：M零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：12A电流-集电极脉冲(Icm)：24A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，6A功率-最大值：24.2W开关能量：36μJ（开），200μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：21.2nC25°C时Td（开/关）值：15ns/90ns测试条件：400V，6A，22 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：140ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-220-3 整包STGF6M65DF2 | ST代理全新原装现货以下产品与STGF6M65DF2或许具有相似功能：
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