类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 1200V 10A 55W DPAK
封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
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基本功能
制造商产品型号:STGD7NB120ST4制造商:STMicroelectronics描述:IGBT 1200V 10A 55W DPAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:PowerMESH?零件状态:停产IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):10A电流-集电极脉冲(Icm):20A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,7A功率-最大值:55W开关能量:3.2μJ(开),15mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:29nC25°C时Td(开/关)值:570ns/-测试条件:960V,7A,1 千欧,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-安装类型:表面贴装型封装:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63STGD7NB120ST4 | ST代理全新原装现货
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