类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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基本功能
制造商产品型号:STGB4M65DF2制造商:STMicroelectronics描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:M零件状态:有源IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):650V电流-集电极(Ic)(最大值):8A电流-集电极脉冲(Icm):16A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,4A功率-最大值:68W开关能量:40μJ(开),136μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:15.2nC25°C时Td(开/关)值:12ns/86ns测试条件:400V,4A,47 欧姆,15V反向恢复时间(trr):133ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263ABSTGB4M65DF2 | ST代理全新原装现货
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