类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT BIPO 650V 40A D2PAK
封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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基本功能
制造商产品型号：STGB40H65FB制造商：STMicroelectronics描述：IGBT BIPO 650V 40A D2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：HB零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：80A电流-集电极脉冲(Icm)：160A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，40A功率-最大值：283W开关能量：498μJ（开），363μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：210nC25°C时Td（开/关）值：40ns/142ns测试条件：400V，40A，5 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：-工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABSTGB40H65FB | ST代理全新原装现货以下产品与STGB40H65FB或许具有相似功能：
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