类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 600V 40A 167W D2PAK
封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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基本功能
制造商产品型号:STGB20V60DF制造商:STMicroelectronics描述:IGBT 600V 40A 167W D2PAK系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:沟槽型场截止电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):40A电流-集电极脉冲(Icm):80A不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,20A功率-最大值:167W开关能量:200μJ(开),130μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:116nC25°C时Td(开/关)值:38ns/149ns测试条件:400V,20A,15V反向恢复时间(trr):40ns工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263ABSTGB20V60DF | ST代理全新原装现货
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