类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：IGBT 375V 40A 150W I2PAK
封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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基本功能
制造商产品型号：STGB20NB32LZ制造商：STMicroelectronics描述：IGBT 375V 40A 150W I2PAK系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：PowerMESH?零件状态：停产IGBT类型：-电压-集射极击穿（最大值）：375V电流-集电极(Ic)（最大值）：40A电流-集电极脉冲(Icm)：80A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 4.5V，20A功率-最大值：150W开关能量：11.8mJ（关）输入类型：标准栅极电荷：51nC25°C时Td（开/关）值：2.3μs/11.5μs测试条件：250V，20A，1 千欧，4.5V反向恢复时间(trr)：-工作温度：175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABSTGB20NB32LZ | ST代理全新原装现货以下产品与STGB20NB32LZ或许具有相似功能：
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