类别：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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基本功能
制造商产品型号：STGB15M65DF2制造商：STMicroelectronics描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：30A电流-集电极脉冲(Icm)：60A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，15A功率-最大值：136W开关能量：90μJ（开），450μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：45nC25°C时Td（开/关）值：24ns/93ns测试条件：400V，15A，12 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：142ns工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263ABSTGB15M65DF2 | ST代理全新原装现货以下产品与STGB15M65DF2或许具有相似功能：
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