类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
器件封装：I-PAK
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基本功能
制造商产品型号：STD1NK80Z-1制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N-CH 800V 1A IPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：SuperMESH?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：800V25°C时电流-连续漏极(Id)：1A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：16 欧姆 @ 500mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：7.7nC @ 10VVgs（最大值）：±30V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：160pF @ 25VFET功能：-功率耗散（最大值）：45W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：I-PAKSTD1NK80Z-1 | ST代理全新原装现货以下产品与STD1NK80Z-1或许具有相似功能：
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