基本功能
制造商产品型号：STD11N65M5制造商：STMicroelectronics描述：MOSFET N CH 650V 9A DPAK系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：MDmesh? V零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：9A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：480 毫欧 @ 4.5A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：17nC @ 10VVgs（最大值）：±25V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：620pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：85W（Tc）工作温度：150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：DPAKSTD11N65M5 | ST代理全新原装现货
