类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:SICFET N-CH 650V 90A HIP247
器件封装:HiP247?
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:SCTW90N65G2V制造商:STMicroelectronics描述:SICFET N-CH 650V 90A HIP247系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):650V25°C时电流-连续漏极(Id):90A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):18V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 50A,18V不同Id时Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):157nC @ 18VVgs(最大值):+22V,-10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):3300pF @ 400VFET功能:-功率耗散(最大值):390W(Tc)工作温度:-55°C ~ 200°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:HiP247?SCTW90N65G2V | ST代理全新原装现货
以下产品与SCTW90N65G2V或许具有相似功能:
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST
ST