类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7
器件封装：H2PAK-7
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基本功能
制造商产品型号：SCTH35N65G2V-7制造商：STMicroelectronics描述：SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：45A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：67毫欧 @ 20A，20V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：73nC @ 20VVgs（最大值）：+22V，-10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400VFET功能：-功率耗散（最大值）：208W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：H2PAK-7SCTH35N65G2V-7 | ST代理全新原装现货以下产品与SCTH35N65G2V-7或许具有相似功能：
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