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PD20010S-E
PD20010S-E
制造：
ST（意法半导体）
类别：
晶体管 - FET，MOSFET - 射频
规格：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
PD20010S-E技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号：PD20010S-E
制造商：STMicroelectronics
描述：TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 射频
零件状态：停产
晶体管类型：LDMOS
频率：2GHz
增益：11dB
电压-测试：13.6V
额定电流（安培）：5A
噪声系数：-
电流-测试：150mA
功率-输出：10W
电压-额定：40V
封装：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
PD20010S-E | ST代理全新原装现货
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