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PD20010-E
PD20010-E
制造:
ST(意法半导体)
类别:
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
规格:
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
封装:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
PD20010-E技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:PD20010-E
制造商:STMicroelectronics
描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
零件状态:有源
晶体管类型:LDMOS
频率:2GHz
增益:11dB
电压-测试:13.6V
额定电流(安培):5A
噪声系数:-
电流-测试:150mA
功率-输出:10W
电压-额定:40V
封装:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
PD20010-E | ST代理全新原装现货
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