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L6399DTR
L6399DTR
制造:
ST(意法半导体)
类别:
电源管理IC - 栅极驱动器
规格:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
L6399DTR技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:L6399DTR
制造商:STMicroelectronics
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
包装:卷带(TR),剪切带(CT)
系列:-
零件状态:有源
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
电压-供电:10V ~ 20V
逻辑电压?-VIL,VIH:1.1V,1.9V
电流-峰值输出(灌入,拉出):290mA,430mA
输入类型:非反相
高压侧电压-最大值(自举):600V
上升/下降时间(典型值):75ns,35ns
工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
产品封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
L6399DTR | ST代理全新原装现货
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