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L6385E
L6385E
制造:
ST(意法半导体)
类别:
电源管理IC - 栅极驱动器
规格:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
产品封装:8-DIP(0.300,7.62mm)
L6385E技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号:L6385E
制造商:STMicroelectronics
描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
产品系列:电源管理IC - 栅极驱动器
包装:管件
系列:-
零件状态:停产
驱动配置:半桥
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET
电压-供电:17V(最大)
逻辑电压?-VIL,VIH:1.5V,3.6V
电流-峰值输出(灌入,拉出):400mA,650mA
输入类型:反相
高压侧电压-最大值(自举):600V
上升/下降时间(典型值):50ns,30ns
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
产品封装:8-DIP(0.300,7.62mm)
L6385E | ST代理全新原装现货
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