基本功能
制造商产品型号：A1P50S65M2制造商：STMicroelectronics描述：IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1系列：晶体管 - IGBT - 模块零件状态：有源IGBT类型：沟槽型场截止配置：三相反相器电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：50A功率-最大值：208W不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，50A电流-集电极截止（最大值）：100μA不同?Vce时输入电容(Cies)：4150pF @ 25V输入：标准NTC热敏电阻：是工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）安装类型：底座安装封装：模块A1P50S65M2 | ST代理全新原装现货
