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M474B1G73EB0-YK0
M474B1G73EB0-YK0
制造：
三星半导体
类别：
模块
规格：
SAMSUNG DRAM NAND
8GB
M474B1G73EB0-YK0技术资料下载
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基本功能
三星模块型号：M474B1G73EB0-YK0
制造商：SAMSUNG（三星半导体）
功能类别：模块
DDR：三代双倍数据率同步动态随机存储器
DIMM 类型：SODIMM
容量：8GB
内存区块组织：2R x 8
速率：1600 Mbps
工作电压：1.35 V
组件成分：(512M x 8) x 18
M474B1G73EB0-YK0 | 三星半导体代理全新原装现货
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