类别:多制层封装芯片
规格:SAMSUNG DRAM NAND
221FBGA
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基本功能
三星芯片型号:KMGX6001BM-B514制造商:SAMSUNG(三星半导体)功能类别:多制层封装芯片eStorage 密度:32 GBeStorage 版本:嵌入式多媒体卡 5.1DRAM 密度:24 GbDRAM 类型:三代低功耗双倍数据率同步动态随机存储器封装:221FBGA速率:1866 Mbps产品状态:批量生产KMGX6001BM-B514 | 三星半导体代理全新原装现货
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