首页
热卖型号
产品关注
各类应用
关于我们
联系我们
当前位置：
首页
>>
三星半导体
> >
K6T1008V2E-TB7000
K6T1008V2E-TB7000
制造：
三星半导体
类别：
SRAM存储器IC
规格：
0
出厂封装
K6T1008V2E-TB7000技术资料下载
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
三星半导体完整型号：K6T1008V2E-TB7000
存储器结构：1M×8
速度：70ns
电源电压：3.3V
包装：TSOP
环保标准：
K6T1008V2E-TB7000 | 三星半导体代理全新原装现货
三星半导体主要产品：
More...
移动存储器
电源管理IC
显示解决方案
消费DRAM
闪存解决方案
智能IC卡技术
图形内存
电脑DRAM
三星半导体产品主要用途：
More...
数字/智能电视，机顶盒
三星移动DRAM
数码/摄像机
桌面计算机
多芯片封装
服务器
功能手机
CMOS图像传感器
以下产品与K6T1008V2E-TB7000或许具有相似功能：
K4H511638CZCB3
三星半导体
CIL21Y100KNE
三星半导体
CL21C330JBANNNC
三星半导体
SPHWHAHDND25YZQ3D3
三星半导体
CL05B273KP5NNNC
三星半导体
K6T4008V1C-VB70
三星半导体
CIB10P300NC
三星半导体
K9F6408UOB-TCBO
三星半导体
K9G8G08U0C-SIB0
三星半导体
CL05C390JB5NCNC
三星半导体
RC2012F150CS
三星半导体
CL05B103KB5NNNC
三星半导体
SPHWHAHDNB25YZT3F8
三星半导体
CIGW252010GLR47MNE
三星半导体
KM62256DLG-7L
三星半导体
SPHWHAHDNM271ZW2D2
三星半导体
S3C2443X40-YL80
三星半导体
RC1608F3572CS
三星半导体
SPHWHAHDNH27YZW3D3
三星半导体
RC1608J205CS
三星半导体
专业代理销售各大IC品牌电子元器件 - 承诺原装 - 最快当天发货 - 无起订量限制
|
Freescale
|
Pulse
|
pSemi
|
FCI
|
Abracon
|
