类别:双倍数据率同步动态随机存储器
规格:SAMSUNG DRAM NAND
84FBGA
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基本功能
三星芯片型号:K4T51163QN-BHF8制造商:SAMSUNG(三星半导体)功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器容量:512Mb架构:32M x 16速率:1066 Mbps工作电压:1.8 V工作温度:-40 ~ 105 °C封装:84FBGA产品状态:样品K4T51163QN-BHF8 | 三星半导体代理全新原装现货
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