类别:双倍数据率同步动态随机存储器
规格:SAMSUNG DRAM NAND
60FBGA
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基本功能
三星芯片型号:K4T51083QN-BI制造商:SAMSUNG(三星半导体)功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器容量:512Mb架构:64M x 8速率:1066 Mbps工作电压:1.8 V工作温度:-40 ~ 95 °C封装:60FBGA产品状态:批量生产K4T51083QN-BI | 三星半导体代理全新原装现货
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