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三星半导体
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K4S641632E-TC1H
K4S641632E-TC1H
制造：
三星半导体
类别：
DRAM存储器IC
规格：
0
出厂封装
K4S641632E-TC1H技术资料下载
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基本功能
三星半导体完整型号：K4S641632E-TC1H
存储器结构：4Mx16
速度：6ns
电源电压：3.3V
包装：TSOP-II
环保标准：
K4S641632E-TC1H | 三星半导体代理全新原装现货
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