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三星半导体
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K4H511638CUCB3
K4H511638CUCB3
制造：
三星半导体
类别：
DRAM存储器IC
规格：
0
出厂封装
K4H511638CUCB3技术资料下载
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基本功能
三星半导体完整型号：K4H511638CUCB3
存储器结构：512M
速度：0.7ns
电源电压：2.5V
包装：TSOPⅡ
环保标准：符合RoHS标准
K4H511638CUCB3 | 三星半导体代理全新原装现货
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