类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器
规格:SAMSUNG DRAM NAND
200FBGA
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
三星芯片型号:K4FHE3D4HA-GFCL制造商:SAMSUNG(三星半导体)功能类别:低功耗双倍数据率同步动态随机存储器容量:24Gb架构:x32速率:3733 Mbps工作电压:1.8 / 1.1 / 1.1 V工作温度:-40 ~ 95 °C封装:200FBGA产品状态:批量生产K4FHE3D4HA-GFCL | 三星半导体代理全新原装现货
以下产品与K4FHE3D4HA-GFCL或许具有相似功能:
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体
三星半导体