首页
热卖型号
产品关注
各类应用
关于我们
联系我们
当前位置：
首页
>>
三星半导体
> >
K4B8G0846D-BYNB
K4B8G0846D-BYNB
制造：
三星半导体
类别：
双倍数据率同步动态随机存储器
规格：
SAMSUNG DRAM NAND
78FBGA
K4B8G0846D-BYNB技术资料下载
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
三星芯片型号：K4B8G0846D-BYNB
制造商：SAMSUNG（三星半导体）
功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器
容量：8Gb
架构：1G x 8
速率：2133 Mbps
工作电压：1.35 V
工作温度：0 ~ 85 °C
封装：78FBGA
产品状态：批量生产
K4B8G0846D-BYNB | 三星半导体代理全新原装现货
三星半导体主要产品：
More...
移动存储器
电源管理IC
显示解决方案
消费DRAM
闪存解决方案
智能IC卡技术
图形内存
电脑DRAM
三星半导体产品主要用途：
More...
数字/智能电视，机顶盒
三星移动DRAM
数码/摄像机
桌面计算机
多芯片封装
服务器
功能手机
CMOS图像传感器
以下产品与K4B8G0846D-BYNB或许具有相似功能：
STIDMW830042112AAA
三星半导体
K6T2008U2A-YF10T
三星半导体
RC2012J104CS
三星半导体
RC1005F3321CS
三星半导体
CIC21P121NE
三星半导体
SI-B8T07128HWW
三星半导体
RC1005F4530CS
三星半导体
CIG10F1R0MAC
三星半导体
CL21F225ZOFNNNF
三星半导体
SPHWW1HDNA25YHV2B3
三星半导体
RC1005F2320CS
三星半导体
SPHWHAHDNC25YZU3C2
三星半导体
SPHWHAHDNF25YZQ3DB
三星半导体
SPHWHAHDNC25YZWPT1
三星半导体
RC2012J224CS
三星半导体
RP164PJ180CS
三星半导体
SI-B8P09A280WW
三星半导体
RC0603F821CS
三星半导体
K4E640811B-TL50
三星半导体
CL05X684JQ5NNNC
三星半导体
专业代理销售各大IC品牌电子元器件 - 承诺原装 - 最快当天发货 - 无起订量限制
|
FUJI
|
Qualcomm
|
Active-Semi
|
Qorvo
|
FTDI
|
