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K4B4G1646D-BYNB
K4B4G1646D-BYNB
制造：
三星半导体
类别：
双倍数据率同步动态随机存储器
规格：
SAMSUNG DRAM NAND
96FBGA
K4B4G1646D-BYNB技术资料下载
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基本功能
三星芯片型号：K4B4G1646D-BYNB
制造商：SAMSUNG（三星半导体）
功能类别：双倍数据率同步动态随机存储器
容量：4Gb
架构：256M x 16
速率：2133 Mbps
工作电压：1.35 V
工作温度：0 ~ 85 °C
封装：96FBGA
产品状态：批量生产
K4B4G1646D-BYNB | 三星半导体代理全新原装现货
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