类别:双倍数据率同步动态随机存储器
规格:SAMSUNG DRAM NAND
96FBGA
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基本功能
三星芯片型号:K4B2G1646F-BYMA制造商:SAMSUNG(三星半导体)功能类别:双倍数据率同步动态随机存储器容量:2Gb架构:128M x 16速率:1866 Mbps工作电压:1.35 V工作温度:0 ~ 85 °C封装:96FBGA产品状态:批量生产K4B2G1646F-BYMA | 三星半导体代理全新原装现货
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