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三星半导体
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K4B1G1646E-HCF8
K4B1G1646E-HCF8
制造:
三星半导体
类别:
DRAM存储器IC
规格:
0
出厂封装
K4B1G1646E-HCF8技术资料下载
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基本功能
三星半导体完整型号:K4B1G1646E-HCF8
存储器结构:64Mx16
速度:20ns
电源电压:1.5V
包装:FBGA
环保标准:
K4B1G1646E-HCF8 | 三星半导体代理全新原装现货
三星半导体主要产品:
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