类别:场效应管阵列
规格:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC
8-PSOP
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
Renesas瑞萨完整型号:UPA2756GR-E1-AT制造厂家名称:Renesas Electronics America描述:MOSFET 2N-CH 60V 4A 8SOIC系列:-FET 类型:2 个 N 沟道(双)FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):60V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):105 毫欧 @ 2A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):260pF @ 10V功率 - 最大值:2W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)供应商器件封装:8-PSOPUPA2756GR-E1-AT | Renesas代理全新原装现货
以下产品与UPA2756GR-E1-AT或许具有相似功能:
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas