类别:场效应管阵列
规格:MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON
8-DFN
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
Renesas瑞萨完整型号:RJK0222DNS-00#J5制造厂家名称:Renesas Electronics America描述:MOSFET 2N-CH 25V 14A/16A HWSON系列:-FET 类型:2 个 N 通道(半桥)FET 功能:逻辑电平栅极,4.5V 驱动漏源极电压 (Vdss):25V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):14A,16A不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.2 毫欧 @ 7A, 10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):6.2nC @ 4.5V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):810pF @ 10V功率 - 最大值:8W, 10W安装类型:表面贴装封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘供应商器件封装:8-DFN(5x6)RJK0222DNS-00#J5 | Renesas代理全新原装现货
以下产品与RJK0222DNS-00#J5或许具有相似功能:
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas