类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 600V 75A 200W TO-247
封装:TO-247-3
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:RJH60D5BDPQ-E0#T2制造商:Renesas Electronics America Inc描述:IGBT 600V 75A 200W TO-247系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:沟道电压-集射极击穿(最大值):600V电流-集电极(Ic)(最大值):75A电流-集电极脉冲(Icm):-不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,37A功率-最大值:200W开关能量:400μJ(开),810μJ(关)输入类型:标准栅极电荷:78nC25°C时Td(开/关)值:50ns/130ns测试条件:300V,37A,5 欧姆,15V反向恢复时间(trr):25ns工作温度:150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-247-3RJH60D5BDPQ-E0#T2 | Renesas代理全新原装现货
以下产品与RJH60D5BDPQ-E0#T2或许具有相似功能:
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas