类别:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
规格:IGBT 1200V 60A 290W TO-3P
封装:TO-3P-3,SC-65-3
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:RJH1CV6DPK-00#T0制造商:Renesas Electronics America Inc描述:IGBT 1200V 60A 290W TO-3P系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:停产IGBT类型:沟道电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):60A电流-集电极脉冲(Icm):-不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.6V @ 15V,30A功率-最大值:290W开关能量:2.3mJ(开),1.7mJ(关)输入类型:标准栅极电荷:105nC25°C时Td(开/关)值:46ns/125ns测试条件:600V,30A,5 欧姆,15V反向恢复时间(trr):180ns工作温度:150°C(TJ)安装类型:通孔封装:TO-3P-3,SC-65-3RJH1CV6DPK-00#T0 | Renesas代理全新原装现货
以下产品与RJH1CV6DPK-00#T0或许具有相似功能:
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas