类别:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
规格:POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-
封装:8-PowerLDFN
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
制造商产品型号:NP30N06QDK-E1-AY制造商:Renesas Electronics America Inc描述:POWER TR2 AUTOMOTIVE MOS DUAL N-系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:Automotive, AEC-Q101零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):60V25°C时电流-连续漏极(Id):30A(Tc)不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):14 毫欧 @ 15A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):38nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2250pF @ 25V功率-最大值:1W(Ta),59W(Tc)工作温度:175°C安装类型:表面贴装型封装:8-PowerLDFNNP30N06QDK-E1-AY | Renesas代理全新原装现货
以下产品与NP30N06QDK-E1-AY或许具有相似功能:
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas