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    NP109N055PUJ-E1B-AY
    NP109N055PUJ-E1B-AY-Renesas代理全新原装现货
    制造：瑞萨电子（Renesas）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 55V 110A TO263
    器件封装：TO-263
    NP109N055PUJ-E1B-AY技术资料下载
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    市场上提供NP109N055PUJ-E1B-AY原装现货的瑞萨电子代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：NP109N055PUJ-E1B-AY
  • 制造商：Renesas Electronics America Inc
  • 描述：MOSFET N-CH 55V 110A TO263
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：55V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：110A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：3.2 毫欧 @ 55A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：180nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：10350pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），220W（Tc）
  • 工作温度：175°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-263
  • NP109N055PUJ-E1B-AY | Renesas代理全新原装现货
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