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    HSG1002VE-TL-E
    HSG1002VE-TL-E-Renesas代理全新原装现货
    制造：瑞萨电子（Renesas）
    类别：RF晶体管
    规格：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
    4-MFPAK
    HSG1002VE-TL-E技术资料下载
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    市场上提供HSG1002VE-TL-E原装现货的瑞萨电子代理商之一
    基本功能
  • Renesas瑞萨完整型号：HSG1002VE-TL-E
  • 制造厂家名称：Renesas Electronics America
  • 描述：IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
  • 系列：-
  • 晶体管类型：NPN
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）：3.5V
  • 频率 - 跃迁：38GHz
  • 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz
  • 增益：8dB ~ 19.5dB
  • 功率 - 最大值：200mW
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：100 @ 5mA，2V
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：35mA
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：4-SMD，鸥翼型
  • 供应商器件封装：4-MFPAK
  • HSG1002VE-TL-E | Renesas代理全新原装现货
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