类别:单端场效应管
规格:MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI
8-LFPAK-iV
欢迎通过电话、微信、邮件、QQ与我们联系取得报价
基本功能
Renesas瑞萨完整型号:HAT2160N-EL-E制造厂家名称:Renesas Electronics America描述:MOSFET N-CH 20V 60A LFPAKI系列:-FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):20V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):60A(Ta)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.1 毫欧 @ 30A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):50nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7600pF @ 10V功率 - 最大值:-安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)供应商器件封装:8-LFPAK-iVHAT2160N-EL-E | Renesas代理全新原装现货
以下产品与HAT2160N-EL-E或许具有相似功能:
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas
Renesas