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    H7N1002LSTL-E
    H7N1002LSTL-E-Renesas代理全新原装现货
    制造：瑞萨电子（Renesas）
    类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
    规格：MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
    器件封装：4-LDPAK
    H7N1002LSTL-E技术资料下载
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    市场上提供H7N1002LSTL-E原装现货的瑞萨电子代理商之一
    基本功能
  • 制造商产品型号：H7N1002LSTL-E
  • 制造商：Renesas Electronics America Inc
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 75A 4LDPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：75A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 37.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：155nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：9700pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：100W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：4-LDPAK
  • H7N1002LSTL-E | Renesas代理全新原装现货
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