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罗姆（ROHM）
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US6M11TR
US6M11TR
制造：
罗姆（ROHM）
类别：
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
规格：
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
US6M11TR技术资料下载
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基本功能
制造商产品型号：US6M11TR
制造商：Rohm Semiconductor
描述：MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
产品系列：-
零件状态：有源
FET类型：N 和 P 沟道
FET功能：逻辑电平门
漏源电压（Vdss）：20V，12V
25°C时电流-连续漏极(Id)：1.5A，1.3A
不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：180 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：1.8nC @ 4.5V
不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：110pF @ 10V
功率-最大值：1W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装：6-SMD，扁平引线
US6M11TR | ROHM代理全新原装现货
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