类别：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
规格：SICFET N-CH 650V 21A TO247N
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
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基本功能
制造商产品型号：SCT3120ALGC11制造商：Rohm Semiconductor描述：SICFET N-CH 650V 21A TO247N系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiCFET（碳化硅）漏源电压（Vdss）：650V25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：156 毫欧 @ 6.7A，18V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.6V @ 3.33mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：38nC @ 18VVgs（最大值）：+22V，-4V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：460pF @ 500VFET功能：-功率耗散（最大值）：103W（Tc）工作温度：175°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-247NSCT3120ALGC11 | ROHM代理全新原装现货以下产品与SCT3120ALGC11或许具有相似功能：
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