类别:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
规格:SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268
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基本功能
制造商产品型号:SCT2750NYTB制造商:Rohm Semiconductor描述:SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:-零件状态:有源FET类型:N 通道技术:SiCFET(碳化硅)漏源电压(Vdss):1700V25°C时电流-连续漏极(Id):5.9A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):18V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):975 毫欧 @ 1.7A,18V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 630μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):17nC @ 18VVgs(最大值):+22V,-6V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):275pF @ 800VFET功能:-功率耗散(最大值):57W(Tc)工作温度:175°C(TJ)安装类型:表面贴装型器件封装:TO-268SCT2750NYTB | ROHM代理全新原装现货
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